參數(shù)資料
型號(hào)： APT50GN120L2DQ2G
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： IGBT
中文描述： IGBT的
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 236K
代理商： APT50GN120L2DQ2G
0
APT50GN120L2DQ2(G)
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
T
J
= 125°C
Collector Current
CollectorVoltage
Gate Voltage
Switching Energy
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
5%
t
r
T
J
= 125°C
Collector Current
Gate Voltage
Switching Energy
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
CollectorVoltage
APT40DQ120
I
C
A
D.U.T.
V
CE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
V
CC
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
I
C
V
CLAMP
100uH
V
TEST
A
A
B
D.U.T.
DRIVER*
V
CE
Figure 24, EON1 Test Circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT50GN60BDQ2 IGBT
APT50GN60BDQ2G IGBT
APT50GN60BG IGBT
APT50GN60B IGBT
APT50GP60B2DF2 POWER MOS 7 IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT50GN60B 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT
APT50GN60BDQ2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT
APT50GN60BDQ2G 功能描述:IGBT 600V 107A 366W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT50GN60BG 功能描述:IGBT 600V 107A 366W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT50GN60S 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*