參數(shù)資料
型號： APT50GN120L2DQ2
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： IGBT
中文描述： IGBT的
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 236K
代理商： APT50GN120L2DQ2
0
APT50GN120L2DQ2(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Characteristic / Test Conditions
Maximum Average Forward Current (T
C
= 112°C, Duty Cycle = 0.5)
RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)
Non-Repetitive Forward Surge Current (T
J
= 45°C, 8.3ms)
Symbol
I
F
(AV)
I
F
(RMS)
I
FSM
Symbol
V
F
Characteristic / Test Conditions
I
F
= 50A
I
F
= 100A
I
F
= 50A, T
J
= 125°C
Forward Voltage
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
UNIT
Amps
UNIT
Volts
MIN
TYP
MAX
2.9
3.67
2.36
APT50GP120L2DQ2(G)
40
63
210
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C
= 25°C unless otherwise specified.
ULTRAFAST SOFT RECOVERY ANTI-PARALLEL DIODE
MIN
TYP
MAX
-
26
-
350
-
570
-
4
-
-
430
-
2200
-
9
-
-
210
-
3400
-
29
UNIT
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
Test Conditions
I
F
= 40A, di
F
/dt = -200A/
μ
s
V
R
= 800V, T
C
= 25
°
C
I
F
= 40A, di
F
/dt = -200A/
μ
s
V
R
= 800V, T
C
= 125
°
C
I
F
= 40A, di
F
/dt = -1000A/
μ
s
V
R
= 800V, T
C
= 125
°
C
I
F
= 1A, di
F
/dt = -100A/
μ
s, V
R
= 30V, T
J
= 25
°
C
FIGURE 25b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
Z
θ
J
,
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
RECTANGULAR PULSE DURATION (seconds)
FIGURE 25a. MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs. PULSE DURATION
RC MODEL
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
0.5
SINGLE PULSE
0.1
0.05
0.3
0.7
0.9
Peak T
J
= P
DM
x Z
θ
JC + TC
Duty Factor D =
t1
/
t2
t2
t1
P
D
Note:
0.0442
°
C/W
0.242
°
C/W
0.324
°
C/W
0.00222 J/
°
C
0.00586 J/
°
C
0.0596 J/
°
C
Power
(watts)
Junction
(
°
C)
Case temperature
(
°
C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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APT50GN60BDQ2 IGBT
APT50GN60BDQ2G IGBT
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