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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT50GF60B2RD |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | TMAX-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 112K |
| 代理商： | APT50GF60B2RD |
052-6253
Rev
B
6-2002
APT50GF60B2RD/LRD
C,
CAPACITANCE
(pF)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(AMPERES)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(AMPERES)
V
GE
,GATE-TO-EMITTER
VOLTAGE
(VOLTS)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(AMPERES)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(AMPERES)
TC =+25°C
TJ =+150°C
SINGLE PULSE
250Sec. Pulse Test
VGE = 15V
f = 1MHz
9V
7V
Cies
Cres
11V
8V
11V
10V
9V
8V
Note:
Duty Factor D =
t1/t
2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
TC=+25°C
TC=+150°C
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.01
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
VGE=13, 15 & 17V
10V
TC=-55°C
Coes
SINGLE PULSE
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
0
1
2
3
4
5
1
10
100
600
0.01
0.1
1.0
10
50
0
40
80
120
160
200
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10
100
80
60
40
20
0
100
80
60
40
20
0
10,000
1,000
100
VCE=480V
VCE=300V
VCE=120V
IC = IC2
TJ = +25°C
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1, Typical Output Characteristics (TJ = 25°C)
Figure 2, Typical Output Characteristics (TJ = 150°C)
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3, Typical Transfer Characteristics
Figure 4, Maximum Safe Operating Area
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 5, Typical Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 6, Gate Charges vs Gate-To-Emitter Voltage
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 7, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
100s
1ms
10ms
100
80
60
40
20
0
150
100
10
1
20
16
12
8
4
0
OPERATION
HERE
LIMITED
BY
VCE (SAT)
.45
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT50GF60LRD | 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT50GN60B | 107 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT50GN60B | 107 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT50GN60BG | 107 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT50GP60JDF2 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT50GF60BR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. |
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| APT50GF60JU2 | 功能描述:IGBT 600V 75A 277W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APT50GF60JU3 | 功能描述:IGBT 600V 75A 277W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
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