| 型號: | APT50GF100BN |
| 英文描述: | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
| 中文描述: | 晶體管| IGBT的|正陳| 1KV交五(巴西)國際消費電子展| 50A條一(c)|至247 |
| 文件頁數(shù): | 1/4頁 |
| 文件大小: | 230K |
| 代理商: | APT50GF100BN |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT50M60JNF | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 71A I(D) |
| APT50M60JVR | Volts:500V RDS(ON)0.06Ohms ID(cont):63Amps|MOSFETs |
| APT50M50PVR | Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT50M65LFLL | Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS |
| APT50M65LLL | Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT50GF120B2R | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. |
| APT50GF120B2RG | 功能描述:IGBT 1200V 135A 781W TMAX RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT50GF120JRD | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs. |
| APT50GF120JRDQ3 | 功能描述:IGBT 1200V 120A 521W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT50GF120LR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. |