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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT45M60DN |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | CHIP |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 450V五（巴西）決策支持系統(tǒng)|芯片 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | APT45M60DN |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT50-101DN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 22.5A I(D) | CHIP |
| APT5010DN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 50A I(D) | CHIP |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT466FL | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE RF POWER MOSFETs |
| APT46GA90JD40 | 功能描述:IGBT 900V 87A 284W SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APT47F60J | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:* |
| APT47GA60JD40 | 功能描述:IGBT 600V 87A 283W SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APT47M60J | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:* |
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