| 型號(hào): | APT45M60BFN |
| 英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 450V V(BR)DSS | 78A I(D) |
| 中文描述: | 晶體管| MOSFET功率模塊|半橋| 450V五(巴西)直|第78A(?。?/td> |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 214K |
| 代理商: | APT45M60BFN |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT5010FN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 50A I(D) | SIP-TAB |
| APT5011AFN | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 49A I(D) |
| APT5050AN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-3 |
| APT5050BN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-247AD |
| APT5050CN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 11.5A I(D) | TO-254ISO |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT45M60DN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | CHIP |
| APT466FL | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE RF POWER MOSFETs |
| APT46GA90JD40 | 功能描述:IGBT 900V 87A 284W SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APT47F60J | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:* |
| APT47GA60JD40 | 功能描述:IGBT 600V 87A 283W SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |