參數(shù)資料
型號(hào): APT45M60BFN
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 450V V(BR)DSS | 78A I(D)
中文描述: 晶體管| MOSFET功率模塊|半橋| 450V五(巴西)直|第78A(?。?/td>
文件頁(yè)數(shù): 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 214K
代理商: APT45M60BFN
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT5010FN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 50A I(D) | SIP-TAB
APT5011AFN TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 49A I(D)
APT5050AN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-3
APT5050BN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-247AD
APT5050CN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 11.5A I(D) | TO-254ISO
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT45M60DN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | CHIP
APT466FL 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE RF POWER MOSFETs
APT46GA90JD40 功能描述:IGBT 900V 87A 284W SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT47F60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
APT47GA60JD40 功能描述:IGBT 600V 87A 283W SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B