參數(shù)資料
型號： APT40GP60B2DQ2G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, T-MAX, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大小： 529K
代理商： APT40GP60B2DQ2G
050-7493
Rev
A
5-2005
APT40GP60B2DQ2(G)
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J = 125°C
Collector Current
CollectorVoltage
Gate Voltage
Switching Energy
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
t
r
5%
T
J = 125°C
CollectorVoltage
Collector Current
Gate Voltage
Switching Energy
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
5 %
t
r
Collector Voltage
Collector Current
10%
90%
T
J = 125 °C
5%
t
d(on)
Gate Voltage
Switching Energy
10%
5 %
t
r
Collector Voltage
Collector Current
10%
90%
T
J = 125 °C
5%
t
d(on)
Gate Voltage
Switching Energy
10%
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
IC
VCLAMP
100uH
VTEST
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VCE
Figure 24, EON1 Test Circuit
APT40DQ60
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PDF描述
APT40GP60B2DQ2 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT40GP90B2DQ2 101 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT
APT40GP90B2DQ2G 101 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT
APT40GP90B2DQ2 101 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT
APT40GP90B2DQ2G 101 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APT40GP60J 功能描述:IGBT 600V 86A 284W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT40GP60JD1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Volts:600V VF/Vce(ON):2.7V ID(cont):40Amps|Ultrafast IGBT Family
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APT40GP60S 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
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