| 型號(hào): | APT35M42DN |
| 英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | CHIP |
| 中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 350V五(巴西)決策支持系統(tǒng)|芯片 |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 93K |
| 代理商: | APT35M42DN |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT35M80DN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | CHIP |
| APT4007DN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 60A I(D) | CHIP |
| APT40-101DN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 25A I(D) | CHIP |
| APT4030DN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | CHIP |
| APT40M42DN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | CHIP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT35M80AFN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 350V V(BR)DSS | 58A I(D) |
| APT35M80DN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | CHIP |
| APT36GA60B | 功能描述:IGBT 600V 65A 290W TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT36GA60BD15 | 功能描述:IGBT 600V 65A 290W TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT36GA60S | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:High Speed PT IGBT |