參數(shù)資料
型號(hào): APT35M42DN
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | CHIP
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 350V五(巴西)決策支持系統(tǒng)|芯片
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代理商: APT35M42DN
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PDF描述
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參數(shù)描述
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APT36GA60BD15 功能描述:IGBT 600V 65A 290W TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT36GA60S 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:High Speed PT IGBT