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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT30GF60JU3 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 58 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOTOP-4 |
| 文件頁數(shù)： | 8/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 476K |
| 代理商： | APT30GF60JU3 |
APT30GF60JU3
A
PT
30G
F60J
U
3–
R
ev
0
A
pr
il
,2004
APT website – http://www.advancedpower.com
8 – 8
SOT-227 (ISOTOP) Package Outline
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
Hex Nut M4
(4 places)
0.75 (.030)
0.85 (.033)
12.6 (.496)
12.8 (.504)
25.2 (0.992)
25.4 (1.000)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
*
r = 4.0 (.157)
(2 places)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
(2 places)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4 places)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
Emitter terminals are shorted
internally. Current handling
capability is equal for either
Emitter terminal.
ISOTOP is a Registered Trademark of SGS Thomson
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
Emitter
Gate
Collector
Anode
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT30GP60B | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT30GP60BG | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT30GP60S | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT30GP60SG | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT30GP60LDLG | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT30GL100BN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247 |
| APT30GN60B | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT |
| APT30GN60BDQ2 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT |
| APT30GN60BDQ2G | 功能描述:IGBT 600V 63A 203W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
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