參數(shù)資料
型號(hào)： APT25GT120BRDQ2
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 8/9頁(yè)
文件大?。?/td> 256K
代理商： APT25GT120BRDQ2
052-6269
Re
v
C
6-2008
APT25GT120BRDQ2(G)
T
J = 125°C
V
R = 800V
20A
40A
80A
600
500
400
300
200
100
0
35
30
25
20
15
10
5
0
Duty cycle = 0.5
T
J = 175°C
80
70
60
50
40
30
20
10
0
C
J,
JUNCTION
CAP
A
CIT
ANCE
K
f,D
YNAMIC
P
ARAMETE
RS
(pF)
(Nor
maliz
ed
to
1000A/
s)
I F(A
V)
(A)
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Case Temperature (°C)
Figure29.DynamicParametersvs.JunctionTemperature
Figure30.MaximumAverageForwardCurrentvs.CaseTemperature
V
R, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure31.JunctionCapacitancevs.ReverseVoltage
V
F, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure25.ForwardCurrentvs.ForwardVoltage
Figure26.ReverseRecoveryTimevs.CurrentRateofChange
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure27.ReverseRecoveryChargevs.CurrentRateofChange
Figure28.ReverseRecoveryCurrentvs.CurrentRateofChange
Q
rr
,REVERSE
RECO
VER
Y
CHARGE
I F
,FOR
W
ARD
CURRENT
(nC)
(A)
I RRM
,REVERSE
RECO
VER
Y
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECO
VER
Y
TIME
(A)
(ns)
T
J = 175°C
T
J = -55°C
T
J = 25°C
T
J = 125°C
0
1
2
3
4
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
T
J = 125°C
V
R = 800V
80A
20A
40A
120
100
80
60
40
20
0
5000
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
T
J = 125°C
V
R = 800V
80A
40A
20A
t
rr
Q
rr
Q
rr
t
rr
I
RRM
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100 200
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PDF描述
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