參數(shù)資料
型號(hào)： APT20GT60BRG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 43 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大?。?/td> 394K
代理商： APT20GT60BRG
052-6210
Rev
D
12-2005
APT20GT60BR(G)
APT15DQ60
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J = 125°C
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
Switching Energy
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
t
r
5%
T
J = 125°C
Collector Voltage
Collector Current
Gate Voltage
Switching Energy
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
TO-247 Package Outline
e1 SAC: Tin, Silver, Copper
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Collector
Emitter
Gate
5.45 (.215) BSC
Dimensions in Millimeters and (Inches)
2-Plcs.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT20GT60BR 43 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT20M10JFLL 185 A, 200 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT20M10JLL 180 A, 200 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT20M11JFLL 176 A, 200 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT20M120JCU3 20 A, 1200 V, 0.672 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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APT20M10JFLL 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
APT20M10JLL 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
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