參數(shù)資料
型號(hào)： APT15GP60BDF1
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS 7 IGBT
中文描述： IGBT的功率MOS 7
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 129K
代理商： APT15GP60BDF1
0
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
30
APT15GP60BDF1
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(V
GE
= 15V)
100
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 2, Output Characteristics (V
GE
= 10V)
16
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 4, Gate Charge
V
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
1.2
T
, Junction Temperature (°C)
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
80
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
T
, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
B
C
,
V
C
,
I
C
,
I
C
,
V
I
C
D
V
C
,
V
G
,
I
C
,
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
2
4
6
8
10
12
0
10
20
30
40
50
60
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
250TJ = 25°C.
<0.5 % DUTY CYCLE
T
C
=-55°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
V
CE
= 480V
V
CE
= 300V
V
CE
= 120V
25 VGE = 10V.
<0.5 % DUTY CYCLE
25
25 VGE = 15V.
<0.5 % DUTY CYCLE
25
25 VGE = 15V.
<0.5 % DUTY CYCLE
0
I
C
= 15A
T
J
= 25°C
TJ = 25°C
TJ = -55°C
TJ = 125°C
T
C
=-55°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C
= 7.5A
I
C
= 15A
I
C
=30A
I
C
=30A
I
C
= 7.5A
20
15
10
5
0
80
60
40
20
0
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
1.15
1.10
1.05
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
30
20
15
10
5
0
14
12
10
8
6
4
2
0
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
70
60
50
40
30
20
10
0
I
C
= 15A
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