參數(shù)資料
型號(hào)： APT12GT60KR
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 391K
代理商： APT12GT60KR
052-6201
Rev
E
12-2005
APT12GT60KR(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
0
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
D = 0.9
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
1,000
500
100
50
10
35
30
25
20
15
10
5
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
CE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
100 200
300
400 500
600
700
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
0
5
10
15
20
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
I
C, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 400V
RG = 10
280
100
50
10
C
res
0.5
0.1
0.05
F
max
= min (f
max, fmax2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - Pcond
E
on2 + Eoff
f
max2 =
P
diss =
T
J - TC
RθJC
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
C
oes
C
ies
0.422
0.427
0.312
0.0004
0.0028
0.0451
Power
(watts)
Junction
temp. (°C)
RC MODEL
Case temperature. (°C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT130N65JC6 130 A, 650 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT13GP120B 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT13GP120B 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT13GP120SG 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA
APT13GP120BG 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT12GT60KRG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY - SING - Rail/Tube
APT12M80B 功能描述:MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT12M80S 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
APT13003D 制造商:BCDSEMI 制造商全稱(chēng):BCD Semiconductor Manufacturing Limited 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
APT13003DI-G1 制造商:BCDSEMI 制造商全稱(chēng):BCD Semiconductor Manufacturing Limited 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠(chǎng)商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*