參數(shù)資料
型號： APT11N80KC3
元件分類： JFETs
英文描述： 11 A, 800 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 162K
代理商： APT11N80KC3
APT11N80KC3
050-7135
Rev
A
4-2004
IC
D.U.T.
APT15DF60B
VCE
Figure 20, Inductive Switching Test Circuit
VDD
G
10%
5% 10%
t
d(on)
t
r
90%
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
T
J = 125 C
5 %
Switching Energy
TJ = 125 C
90%
t
d(off)
0
t
f
90%
10%
Gate Voltage
Collector Current
Collector Voltage
Switching Energy
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
TO-220AC Package Outline
Source
10.66 (.420)
9.66 (.380)
5.33 (.210)
4.83 (.190)
14.73 (.580)
12.70 (.500)
1.01 (.040) 3-Plcs.
0.38 (.015)
2.79 (.110)
2.29 (.090)
4.82 (.190)
3.56 (.140)
1.39 (.055)
0.51 (.020)
4.08 (.161) Dia.
3.54 (.139)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
16.51 (.650)
14.23 (.560)
6.35 (.250)
MAX.
Gate
Drain
6.85 (.270)
5.85 (.230)
1.77 (.070) 3-Plcs.
1.15 (.045)
2.92 (.115)
2.04 (.080)
3.42 (.135)
2.54 (.100)
0.50 (.020)
0.41 (.016)
5.33 (.210)
4.83 (.190)
Drain
相關PDF資料
PDF描述
APT11N80KC3 11 A, 800 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
APT1201R2BLL 12 A, 1200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT1201R2SLL 12 A, 1200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT1201R4BFLL 9 A, 1200 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AB
APT1201R4SFLL 9 A, 1200 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
APT11N80KC3G 功能描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:CoolMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT1201R2BFLL 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:
APT1201R2BFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT1201R2BLL 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
APT1201R2SFLL 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 FREDFET
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