參數(shù)資料
型號(hào)： APT10M11LVR
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 100 A, 100 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 65K
代理商： APT10M11LVR
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
FIGURE 11, TYPICAL CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
SD
, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 12, GATE CHARGES vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
FIGURE 13, TYPICAL SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
V
GS
,GATE-TO-SOURCE
VOLTAGE
(VOLTS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I DR
,REVERSE
DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
C,
CAPACITANCE
(pF)
APT10M11LVR
TO-264 Package Outline
TC =+25°C
TJ =+150°C
SINGLE PULSE
400
100
50
10
5
1
20
16
12
8
4
0
050-5545
Rev
B
OPERATION HERE
LIMITED BY RDS (ON)
Crss
19.51 (.768)
20.50 (.807)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.48 (.019)
0.84 (.033)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
Drain
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
APT's devices are covered by one or more of the following U.S.patents: 4,895,810
5,045,903
5,089,434
5,182,234
5,019,522
5,262,336
5,256,583
4,748,103
5,283,202
5,231,474
5,434,095
5,528,058
Coss
Ciss
30,000
10,000
5,000
1,000
500
400
100
50
10
5
1
100
S
10mS
100mS
DC
1mS
TJ =+150°C
TJ =+25°C
Coss
Ciss
1
5
10
50
100
.01
.1
1
10
50
0
100
200
300
400
500
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
VDS=50V
VDS=20V
VDS=80V
I
D
= 0.5 I
D
[Cont.]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT10M11LVR 100 A, 100 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT11058JFLL 18 A, 1100 V, 0.58 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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APT12040L2LL 30 A, 1200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
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參數(shù)描述
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