參數(shù)資料
型號： APT10M11JVRU3
元件分類： JFETs
英文描述： 142 A, 100 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 7/7頁
文件大?。?/td> 730K
代理商： APT10M11JVRU3
APT10M11JVRU3
A
P
T
10M
11J
V
R
U
3–
R
ev
0
O
ct
obe
r,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
7 – 7
SOT-227 (ISOTOP) Package Outline
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
Hex Nut M4
(4 places)
0.75 (.030)
0.85 (.033)
12.6 (.496)
12.8 (.504)
25.2 (0.992)
25.4 (1.000)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
*
r = 4.0 (.157)
(2 places)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
(2 places)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4 places)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
Emitter terminals are shorted
internally. Current handling
capability is equal for either
Emitter terminal.
ISOTOP is a Registered Trademark of SGS Thomson
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
Source
Gate
Drain
Anode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT10M11LVR 100 A, 100 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT10M11LVR 100 A, 100 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT11058JFLL 18 A, 1100 V, 0.58 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT12031JFLL 30 A, 1200 V, 0.31 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT12040JVR 26 A, 1200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT10M11LVFR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:High Voltage N-Channel enhancement mode power MOSFET
APT10M11LVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT10M11LVR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs
APT10M13JNR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 150A I(D)
APT10M15JNR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 140A I(D)
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