| 型號: | APT10GT60KR |
| 英文描述: | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
| 中文描述: | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五(巴西)國際消費(fèi)電子展|甲一(c)| TO - 220AB現(xiàn)有 |
| 文件頁數(shù): | 1/2頁 |
| 文件大小: | 93K |
| 代理商: | APT10GT60KR |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| APT10M25SNR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
| APT10M30BNFR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-247AD |
| APT10M30BNR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-247AD |
| APT20M21DN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | CHIP |
| APT3507DN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 60A I(D) | CHIP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| APT10M07 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT10M07JVFR | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 225A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:* |
| APT10M07JVR | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 225A 4-Pin SOT-227 |
| APT10M09B2VFR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V FREDFET |
| APT10M09B2VFR_04 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V FREDFET |