參數(shù)資料
型號(hào)： APT10045JLL
元件分類： JFETs
英文描述： 21 A, 1000 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
文件大?。?/td> 93K
代理商： APT10045JLL
SOT-227 (ISOTOP) Package Outline
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
Hex Nut M4
(4 places)
0.75 (.030)
0.85 (.033)
12.6 (.496)
12.8 (.504)
25.2 (0.992)
25.4 (1.000)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
* Source
Drain
Gate
*
r = 4.0 (.157)
(2 places)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
(2 places)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4 places)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
* Source
Source terminals are shorted
internally. Current handling
capability is equal for either
Source terminal.
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
90%
t
d(off)
T
J
= 125 C
Drain Current
Drain Voltage
Gate Voltage
10%
0
90%
t
f
Switching Energy
10 %
t
d(on)
90%
5 %
t
r
10 %
5 %
Switching Energy
Gate Voltage
T
J
= 125 C
Drain Current
Drain Voltage
Figure 18, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 19, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
IC
D.U.T.
APT15DF120B
VCE
Figure 20, Inductive Switching Test Circuit
G
VDD
050-7015
Rev
D
3-2003
APT10045JLL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT10050JN 20.5 A, 1000 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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APT10086BFLC 13 A, 1000 V, 0.86 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT100GN120J 153 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT10GT60BR 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT10045JLL_03 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS
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APT10045LFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 23A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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