參數(shù)資料
型號(hào)： APL602J
元件分類： JFETs
英文描述： 43 A, 600 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 74K
代理商： APL602J
050-5895
Rev
C
8-2003
Typical Performance Curves
APL602J
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
0
50
100
150
200
250
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 2, HIGH OUTPUT CHARACTERISTICS
FIGURE 3, LOW OUTPUT CHARACTERISTICS
7 V
6 V
6.5 V
VGS=10V, 15 V
5.5 V
7.5 V
8 V
120
100
80
60
40
20
0
120
100
80
60
40
20
0
7 V
6 V
6.5 V
5.5 V
7.5 V
VGS=10, 15V
8 V
V
GS
, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPERES)
FIGURE4,TRANSFERCHARACTERISTICS
FIGURE 5, R
DS
(ON) vs DRAIN CURRENT
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 6, MAXIMUM DRAIN CURRENT vs CASE TEMPERATURE
FIGURE 7, BREAKDOWN VOLTAGE vs TEMPERATURE
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
120
25
50
75
100
125
150
-50
0
50
100
150
1.30
1.20
1.10
1.00
0.90
0.80
0.70
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
VDS> ID (ON) x RDS (ON)MAX.
250SEC. PULSE TEST
@ <0.5 % DUTY CYCLE
TJ = +125°C
TJ = +25°C
TJ = -55°C
VGS=10V
VGS=20V
NORMALIZED TO
V
GS
= 10V @ 21.5A
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
BV
DSS
(ON),
DRAIN-TO-SOURCE
BREAKDOWN
R
DS
(ON),
DRAIN-TO-SOURCE
ON
RESISTANCE
VOLTAGE
(NORMALIZED)
80
60
40
20
0
45
40
35
30
25
20
15
10
05
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APR852.3N 806 MHz - 869 MHz MOBILE STATION ANTENNA, 5.15 dBi GAIN
APRG852.3T 890 MHz - 960 MHz MOBILE STATION ANTENNA, 5.15 dBi GAIN
APS-08000900-180-1F-1FS 8000 MHz - 9000 MHz, 0 deg - 180 deg RF/MICROWAVE PHASE SHIFTER
APS00B-T13 MAGNETIC FIELD SENSOR-HALL EFFECT, RECTANGULAR, SURFACE MOUNT
APS04N60H-HF 4 A, 620 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APL602L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Volts:600V RDS(ON)0.125Ohms ID(cont):49Amps|Linear MOSFETs
APL602L-1 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:APL602L-1 - Bulk
APL602LG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 49A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APL-6130-2 制造商:Airpax 功能描述:CIRCUIT PROTECTOR HYD MAGNETIC 制造商:Sensata Technologies 功能描述:APL-6130-2 /Pole # 6 /Prod Family: 0204
APL6535 制造商:ANPEC 制造商全稱:Anpec Electronics Coropration 功能描述:Two-Channel Supervisory IC
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*