參數(shù)資料
型號： APL501P
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
中文描述： N溝道增強型高壓功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 112K
代理商： APL501P
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4,895,810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
APL501P
0
P-Pack Package Outline
29.34 (1.155)
35.81 (1.41)
51.05 (2.01)
3.43 (.135)
11.63 (.458)
12.45 (.490)
35.18 (1.385)
41.53 (1.635)
3.43 (.135)
5.33 (.210)
1.40 (.055)
9.27 (.365)
.635 (.025)
4.39 (.173)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
28.70 (1.130)
4.06 (.160)
10.92 (.430)
D
G
S
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT1001R1AVR LJT 43C 40#20 4#16 2#8(COAX)
APT1001R1BN Circular Connector; No. of Contacts:56; Series:MS27656; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:25; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle RoHS Compliant: No
APT1001R1BVFR 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
APT1001R1HVR LJT 43C 40#20 4#16 2#8(COAX)
APT1001 Power MOS VI is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APL502B2 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 58A 3-Pin(3+Tab) T-MAX
APL502B2G 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APL502J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
APL502L 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:LINEAR MOSFET
APL502LG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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