參數(shù)資料
型號(hào): AP4936M
廠商: Advanced Power Technology Ltd.
英文描述: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
中文描述: N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù): 5/6頁(yè)
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代理商: AP4936M
AP4936M
Fig 9. Gate Charge Characteristics
Fig 10. Typical Capacitance Characteristics
Fig 11. Forward Characteristic of
Reverse Diode
Fig 12. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
0
1
2
3
-50
0
50
100
150
T
j
, Junction Temperature (
o
C )
V
G
(
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
Q
G
, Total Gate Charge (nC)
V
G
I
D
=5A
V
DS
=16V
10
100
1000
1
5
9
13
V
DS
(V)
17
21
25
29
C
f=1.0MHz
Ciss
Coss
Crss
0.1
1
10
100
0.1
0.3
0.5
0.7
V
SD
(V)
0.9
1.1
1.3
1.5
I
S
(
Tj=25
o
C
Tj=150
o
C
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