參數(shù)資料
型號： AP3403H
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
英文描述： P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
中文描述： P溝道增強型
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 83K
代理商： AP3403H
Electrical Characteristics@T
j
=25
o
C(unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
BV
DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
V
GS
=0V, I
D
=-250uA
-30
-
-
V
Δ
B
V
DSS
/
Δ
T
j
Breakdown Voltage Temperature Coefficient
Reference to 25
℃
, I
D
=-1mA
Static Drain-Source On-Resistance
2
-
-0.1
-
V/
℃
R
DS(ON)
V
GS
=-10V, I
D
=-6A
-
-
200
m
Ω
V
GS
=-4.5V, I
D
=-4A
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
=-10V, I
D
=-6A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
GS
=
I
D
=-6A
V
DS
=-15V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-6A
R
G
=2
Ω
,
V
GS
=-10V
R
D
=2.5
Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
-
-
400
m
Ω
V
GS(th)
g
fs
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
-1
-
-
2
-3
-
V
S
uA
Drain-Source Leakage Current (T
j
=25
o
C)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-1
-25
±
100
Drain-Source Leakage Current (T
j
=150
o
C)
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
Gate-Source Leakage
Total Gate Charge
2
Gate-Source Charge
Gate-Drain ("Miller") Charge
Turn-on Delay Time
2
Rise Time
Turn-off Delay Time
3.8
1.7
1.6
6.7
20.8
14.9
-
-
-
-
-
-
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
-
-
-
-
4.4
217
103
31
-
-
-
-
ns
pF
pF
pF
Source-Drain Diode
Symbol
V
SD
trr
Qrr
Parameter
Test Conditions
I
S
=-1.25A, V
GS
=0V
I
S
=-6A, V
GS
=0V,
dI/dt=-100A/μs
Min.
-
-
-
Typ.
-
35
63
Max.
-1.2
-
-
Units
V
ns
nC
Forward On Voltage
2
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Notes:
1.Pulse width limited by Max. junction temperature.
2.Pulse width <300us , duty cycle <2%.
AP3403H/J
±
20V
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