參數(shù)資料
型號: AP3403GH
廠商: ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類: JFETs
英文描述: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
中文描述: 10 A, 30 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝: LEAD FREE PACKAGE-3
文件頁數(shù): 4/4頁
文件大?。?/td> 85K
代理商: AP3403GH
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig11. Switching Time Circuit
Fig 12. Gate Charge Circuit
AP3403GH/J
10
100
1000
1
5
9
13
17
21
25
29
-V
DS ,
Drain-to-Source Voltage (V)
C
f=1.0MHz
Ciss
Coss
Crss
0.5 x RATED V
DS
TO THE
OSCILLOSCOPE
D
G
S
V
DS
V
GS
I
D
I
G
-1~-3mA
0.5 x RATED V
DS
TO THE
OSCILLOSCOPE
-10 V
D
G
S
V
DS
V
GS
R
G
R
D
0
2
4
6
8
10
12
14
0
2
4
6
8
10
12
Q
G
, Total Gate Charge (nC)
-
G
I
D
=-10A
V
DS
=-24V
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t , Pulse Width (s)
N
t
)
P
DM
Duty factor = t/T
Peak T
j
= P
DM
x R
thjc
+ T
C
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
DUTY=0.5
Single Pulse
1
10
100
1
10
100
-V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
(
T
c
=25
o
C
Single Pulse
DC
1ms
10ms
100ms
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PDF描述
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