參數(shù)資料
型號： AP3310H
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
英文描述： P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
中文描述： P溝道增強型
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 90K
代理商： AP3310H
AP3310H/J
Electrical Characteristics@T
j
=25
o
C(unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min. Typ. Max. Units
BV
DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
V
GS
=0V, I
D
=-250uA
-20
-
-
V
Δ
B
V
DSS
/
Δ
T
j
Breakdown Voltage Temperature Coefficient
Reference to 25
℃
, I
D
=-1mA
-
-0.1
-
V/
℃
R
DS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance
V
GS
=-4.5V, I
D
=-2.8A
-
-
150
m
Ω
V
GS
=-2.5V, I
D
=-2.0A
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
=-5V, I
D
=-2.8A
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
V
GS
=
I
D
=-2.8A
V
DS
=-6V
V
GS
=-5V
V
DS
=-6V
I
D
=-1A
R
G
=6
Ω
,
V
GS
=-5V
R
D
=6
Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-6V
f=1.0MHz
-
-
250
m
Ω
V
GS(th)
g
fs
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
-0.5
-
-
-
-
V
S
uA
4.4
Drain-Source Leakage Current (T
j
=25
o
C)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
-1
-25
±
100
Drain-Source Leakage Current (T
j
=150
o
C)
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
Gate-Source Leakage
Total Gate Charge
2
Gate-Source Charge
Gate-Drain ("Miller") Charge
Turn-on Delay Time
2
Rise Time
Turn-off Delay Time
-
-
-
-
-
-
1.5
0.6
25
60
70
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
-
-
-
-
60
300
180
60
-
-
-
-
ns
pF
pF
pF
Source-Drain Diode
Symbol
I
S
I
SM
V
SD
Parameter
Test Conditions
V
D
=V
G
=0V , V
S
=-1.2V
Min. Typ. Max. Units
-
-
-
-
-
-
Continuous Source Current ( Body Diode )
Pulsed Source Current ( Body Diode )
1
Forward On Voltage
2
-10
-24
-1.2
A
A
T
j
=25
℃
, I
S
=-10A, V
GS
=0V
V
Notes:
1.Pulse width limited by safe operating area.
2.Pulse width <300us , duty cycle <2%.
± 12
V
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PDF描述
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