參數(shù)資料
型號(hào)： AP3302J
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： AP3302J
AP3302H/J
Fig7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DS
V
GS
10%
90%
Q
V
G
10V
Q
GS
Q
GD
Q
G
Charge
0
5
10
15
20
25
0
2
4
6
8
10
12
Q
G
, Total Gate Charge (nC)
V
G
I
D
=10A
V
DS
=20V
V
DS
=16V
V
DS
=12V
10
100
1000
1
5
9
13
17
21
25
29
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
C
f=1.0MHz
Ciss
Coss
Crss
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(
T
c
=25
o
C
Single Pulse
10ms
100ms
1s
DC
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t , Pulse Width (s)
N
t
)
P
DM
Duty factor = t/T
Peak T
j
= P
DM
x R
thjc
+ T
C
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
DUTY=0.5
Single Pulse
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AP3303H N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP3303J N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP3310J P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
AP3310H P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
AP3402GEH N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
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參數(shù)描述
AP3302K6TR-G1 功能描述:IC OFFLINE CONV FLYBACK SOT26 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 輸出隔離:隔離 內(nèi)部開關(guān):無 電壓 - 擊穿:- 拓?fù)?反激 電壓 - 啟動(dòng):15.8V 電壓 - 電源（Vcc/Vdd）:10 V ~ 28 V 占空比:- 頻率 - 開關(guān):120kHz 故障保護(hù):限流，過壓 控制特性:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:SOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:SOT-26 安裝類型:表面貼裝 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AP3303H 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP3303J 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP3310GH 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP3310GH-HF 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:Simple Drive Requirement, 2.5V Gate Drive Capability
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