參數(shù)資料
型號(hào)： AP2201K3.0TR
廠商： BCD Semiconductor Manufacturing Limited
英文描述： 10/PG/CL/LL/CS/NFLG/30AVG
中文描述： 150mA的射頻ULDO調(diào)節(jié)器
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 157K
代理商： AP2201K3.0TR
150mA RF ULDO REGULATOR AP2201
Preliminary Datasheet
8
Jun. 2005 Rev. 1. 0
BCD Semiconductor Manufacturing Limited
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 9. Enable Current vs. Junction Temperature
Figure 10. Enable Voltage vs. Junction Temperature
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
EN
=1.8V
V
EN
=2.0V
V
EN
=3.0V
V
EN
=4.0V
V
IN
=3.8V, C
IN
=1.0
μ
F, C
L
=2.2
μ
F,
I
OUT
=100
μ
A, C
BYP
=1nF
E
μ
A
Junction Temperature (
o
C)
AP2201-2.8V
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
Junction Temperature (
o
C)
E
AP2201-2.8V
V
EN
=on
V
EN
=off
C
IN
=1.0
μ
F,C
L
=2.2
μ
F,C
BYP
=1nF
V
IN
=3.8V,I
OUT
=5mA
Figure 11. Noise
vs. Bypass Capacitor
Figure 12. Load Transient
(Conditions: V
IN
=3.8V, C
BYP
=680pF, V
EN
=2V,
I
OUT
=5mA to 50mA, C
L
=2.2
μ
F
)
10
100
1000
10000
0
50
100
150
200
N
μ
V
Bypass Capacitor (pF)
O
O
Time (
μ
s)
AP2201-2.8V
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PDF描述
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AP2202 150mA RF ULDO REGULATOR
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