| 型號(hào): | AOW-4544L-C3310-B-R | 
| 廠商: | PUI Audio, Inc. | 
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/1頁(yè) | 
| 文件大小: | 0K | 
| 描述: | MIC CONDENSER ELECT OMNI -44DB | 
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝: | 1 | 
| 系列: | AOW | 
| 類型: | 駐極體電容 | 
| 輸出類型: | 模擬 | 
| 方向: | 全向 | 
| 靈敏度: | -44dB ±3dB | 
| 信噪比: | 60dB | 
| 阻抗: | 2.2 千歐 | 
| 電壓 - 額定: | 2V | 
| 電流 - 電源: | 0.5mA | 
| 端口位置: | 頂部 | 
| 密封等級(jí): | IP57 | 
| 端子: | 焊盤 | 
| 尺寸/尺寸: | 9.70mm 直徑 | 
| 高度(最大): | 4.70mm | 
| 形狀: | 圓形 | 
| 包裝: | 散裝 | 

相關(guān)PDF資料  | 
PDF描述  | 
|---|---|
| AOW-4544P-C3310-B-R | MIC CONDENSER ELECT OMNI -44DB | 
| APF19-19-13CB | HEATSINK LOW-PROFILE FORGED | 
| APR43-43-15CB/A01 | HEATSINK FORGED W/ADHESIVE TAPE | 
| APX321WG-7 | IC OP AMP R-R 1CH SOT-25 | 
| ASB0312MA-CF00 | FAN 12V DC 30MM X 10MM TACH | 
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)  | 
參數(shù)描述  | 
|---|---|
| AOW-4544P-C3310-B-R | 功能描述:麥克風(fēng) -44DB 2VDC .5MA 2.2KOHM RoHS:否 制造商:Knowles Acoustics 方向性:Omnidirectional 阻抗:4.4 K Ohms 工作電壓:0.9 V to 10 V 靈敏度:- 53 dB 端接類型:Wire Leads 長(zhǎng)度:5.56 mm 寬度:3.98 mm 深度:2.21 mm | 
| AOW480 | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 15A TO262 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SDMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 | 
| AOW482 | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 11A TO262 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SDMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 | 
| AOW4S60 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO262 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:aMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 | 
| AOW7S60 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO262 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:aMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |