參數(shù)資料
型號： AO4710
廠商： ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： GREEN, SOIC-8
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大小： 206K
代理商： AO4710
Symbol
VDS
VGS
IDM
IAR
EAR
TJ, TSTG
Symbol
Typ
Max
32
40
60
75
RθJL
17
24
Avalanche Current
C
22
A
Repetitive avalanche energy L=0.3mH
C
73
mJ
°C
-55 to 150
A
10
3.1
W
2.0
A
Maximum
Units
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Steady-State
Power Dissipation
TA=25°C
PDSM
Junction and Storage Temperature Range
TA=70°C
°C/W
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
V
±12
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
30
IDSM
12.7
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Units
Maximum Junction-to-Ambient
A
t ≤ 10s
RθJA
°C/W
Pulsed Drain Current
B
60
TA=70°C
Continuous Drain
Current
AF
TA=25°C
AO4710
30V N-Channel MOSFET
Product Summary
VDS (V) = 30V
ID =12.7A (VGS = 10V)
RDS(ON) < 11.8m (VGS = 10V)
RDS(ON) < 14.2m (VGS = 4.5V)
100% UIS Tested
100% Rg Tested
General Description
SRFET
TM The AO4710 uses advanced trench
technology with a monolithically integrated Schottky
diode to provide excellent RDS(ON), and low gate
charge. This device is suitable for use as a low side
FET in SMPS, load switching and general purpose
applications.
SRFET TM
SOIC-8
Top View
Bottom View
D
S
G
D
S
SRFET
TM
Soft Recovery MOSFET:
Integrated Schottky Diode
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO4800B 6900 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
AO4812 6000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
AO4813 7100 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
AO4822 8000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
AO4932 8000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AO4710_10 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET
AO4710L 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:
AO4710L_101 功能描述:MOSFET P-CH 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12.7A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:43nC @ 10V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2376pF @ 15V FET 功能:肖特基二極管（體） 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11.8 毫歐 @ 12.7A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
AO4712 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.2A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SRFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AO4712_12 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*