參數資料
型號: AO4613L
廠商: ALPHA
英文描述: Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述: 增強模式互補場效應晶體管
文件頁數: 1/7頁
文件大小: 185K
代理商: AO4613L
Symbol
V
DS
V
GS
Max p-channel
-30
±20
-6.1
Units
V
V
I
DM
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
A
mJ
°C
Symbol
Typ
n-ch
n-ch
n-ch
p-ch
p-ch
p-ch
Units
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
55
92
37
48
84
37
62.5
110
50
62.5
110
50
R
θ
JL
R
θ
JL
Thermal Characteristics: n-channel and p-channel
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
-55 to 150
-55 to 150
20
Avalanche Current
B
Repetitive avalanche energy 0.1mH
B
Junction and Storage Temperature Range
15
11
Maximum Junction-to-Lead
C
Maximum Junction-to-Ambient
A
Steady-State
t
10s
t
10s
Steady-State
R
θ
JA
30
±20
7.2
6.1
30
2
1.44
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
Max
20
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Max n-channel
W
-5.1
-30
2
1.44
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
R
θ
JA
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
Steady-State
T
A
=70°C
Power Dissipation
T
A
=25°C
P
D
AO4613
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
n-channel p-channel
V
DS
(V) = 30V -30V
I
D
= 7.2A (V
GS
=10V) -6.1A (V
GS
=10V)
R
DS(ON)
R
DS(ON)
< 24m
(V
GS
=10V) < 37m
(V
GS
= -10V)
< 40m
(V
GS
=4.5V) < 60m
(V
GS
= -4.5V)
ESD rating: 1500V (HBM)
General Description
The AO4613 uses advanced trench
technology MOSFETs to provide
excellent R
DS(ON)
and low gate charge.
The complementary MOSFETs may be
used to form a level shifted high side
switch, and for a host of other
applications. It is ESD protected.
Standard product AO4613 is Pb-free
(meets ROHS & Sony 259
specifications). AO4613L is a Green
Product ordering option. AO4613 and
AO4613L are electrically identical
G1
S1
G2
S2
D1
D1
D2
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
SOIC-8
n-channel
p-channel
G2
D2
S2
G1
D1
S1
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
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