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參數(shù)資料
| 型號： | AM70PDL9BDH66IS |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Package (MCP/XIP) Flash Memory, Data storage MirrorBit Flash, and pSRAM (XIP) |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片封裝（MCP / XIP）的快閃記憶體，數(shù)據(jù)存儲的MirrorBit閃存和移動存儲芯片（XIP）的 |
| 文件頁數(shù)： | 62/128頁 |
| 文件大?。?/td> | 916K |
| 代理商： | AM70PDL9BDH66IS |
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60
Am70PDL127BDH/Am70PDL129BDH
November 25, 2003
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
pSRAM DC & OPERATING CHARACTERISTICS
Notes:
1. V
CC
– 1.0 V for a 10 ns pulse width.
2. V
CC
+ 1.0 V for a 10 ns pulse width.
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
LI
Input Leakage Current
V
IN
= V
SS
to V
CC
CE#1ps = V
IH
, CE2ps = V
IL
or OE# = V
IH
or
WE# = V
IL
, V
IO
= V
SS
to V
CC
–1.0
1.0
μA
I
LO
Output Leakage Current
–1.0
1.0
μA
I
CC1
s
Operating Current
Cycle time = Min., I
IO
= 0 mA, 100% duty,
CE#1ps = V
IL
, CE2ps = V
IH
, V
IN
= V
IL
= or
V
IH
, t
RC
= Min.
40
mA
I
CC2
s
Page Access Operating
Current
Cycle time = Min., I
IO
= 0 mA, 100% duty,
CE#1ps = V
IL
, CE2ps = V
IH
, V
IN
= V
IL
= or
V
IH
, t
PC
= Min.
25
mA
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 1.0 mA
0.4
V
V
OH
I
SB
Output High Voltage
I
OH
= –0.5 mA
CE#f1 = V
CCS
– 0.2 V, CE2 = V
CCS
– 0.2 V
2
V
Standby Current (CMOS)
70
μA
I
DSB
Deep Power-down Standby
CE2 = 0.2 V
5
μA
V
IL
Input Low Voltage
–0.3
(Note 1)
0.4
V
V
IH
Input High Voltage
2.4
V
+
0.3
(Note 2)
V
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PDF描述 |
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