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參數(shù)資料
| 型號： | AM50DL128BH56IS |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片封裝（MCP）閃存和SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 50/68頁 |
| 文件大小： | 959K |
| 代理商： | AM50DL128BH56IS |
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48
Am50DL128BH
October 7, 2003
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
FLASH AC CHARACTERISTICS
OE#
CE#f
Addresses
V
CC
f
WE#
Data
2AAh
SADD
t
GHWL
t
AH
t
WP
t
WC
t
AS
t
WPH
555h for chip erase
10 for Chip Erase
30h
t
DS
t
VCS
t
CS
t
DH
55h
t
CH
In
Progress
Complete
t
WHWH2
VA
VA
Erase Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data
RY/BY#
t
RB
t
BUSY
Notes:
1. SADD = sector address (for Sector Erase), VA = Valid Address for reading status data (see “Flash Write Operation Status”.
2. These waveforms are for the word mode.
Figure 21.
Chip/Sector Erase Operation Timings
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