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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29LV800BT70RWBC |
| 廠商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 1M X 8 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 6 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 30/42頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 569K |
| 代理商： | AM29LV800BT70RWBC |
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30
Am29LV800B
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2.
See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
70R
80
90
120
JEDEC
Std
Description
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
70
80
90
120
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
45
50
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
35
35
45
50
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min
35
35
35
50
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Byte
Typ
9
μs
Word
Typ
11
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.7
sec
t
VCS
V
CC
Setup Time (Note 1)
Min
50
μs
t
RB
Recovery Time from RY/BY#
Min
0
ns
t
BUSY
Program/Erase Valid to RY/BY# Delay
Min
90
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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