參數(shù)資料
型號(hào)： AM29LV800BT70RSE
廠商： ADVANCED MICRO DEVICES INC
元件分類： PROM
英文描述： 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
中文描述： 512K X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO44
封裝： MO-180AA, SOP-44
文件頁(yè)數(shù)： 29/42頁(yè)
文件大?。?/td> 569K
代理商： AM29LV800BT70RSE
Am29LV800B
29
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
Word/Byte Configuration (BYTE#)
Parameter
70R
80
90
120
JEDEC
Std
Description
Unit
t
ELFL/
t
ELFH
CE# to BYTE# Switching Low or High
Max
5
ns
t
FLQZ
BYTE# Switching Low to Output HIGH Z
Max
25
25
30
30
ns
t
FHQV
BYTE# Switching High to Output Active
Min
70
80
90
120
ns
DQ15
Output
Data Output
(DQ0–DQ7)
CE#
OE#
BYTE#
t
ELFL
DQ0–DQ14
Data Output
(DQ0–DQ14)
DQ15/A-1
Address
Input
t
FLQZ
BYTE#
Switching
from word
to byte
mode
DQ15
Output
Data Output
(DQ0–DQ7)
BYTE#
t
ELFH
DQ0–DQ14
Data Output
(DQ0–DQ14)
DQ15/A-1
Address
Input
t
FHQV
BYTE#
Switching
from byte
to word
mode
21490E-19
Figure 15.
BYTE# Timings for Read Operations
Note:
Refer to the Erase/Program Operations table for t
AS
and t
AH
specifications.
21490E-20
Figure 16.
BYTE# Timings for Write Operations
CE#
WE#
BYTE#
The falling edge of the last WE# signal
t
HOLD
(t
AH
)
t
SET
(t
AS
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AM29LV800BT70RSI Ceramic Chip Capacitors / MIL-PRF-55681; Capacitance [nom]: 1500pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 100V; Capacitance Tolerance: +/-20%; Dielectric: Multilayer Ceramic; Temperature Coefficient: X7R (BX); Lead Style: Surface Mount Chip; Lead Dimensions: 0805; Termination: Sn60 Coated; Body Dimensions: 0.080" x 0.050" x 0.055"; Container: Bag; Features: MIL-PRF-55681: R Failure Rate
AM29LV800BT70RWBC 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
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Am29LV800BT70RWBI 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
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AM29LV800DB90EI 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
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