• 參數(shù)資料
    型號(hào)： AM29LV800BB90EIB
    廠(chǎng)商： ADVANCED MICRO DEVICES INC
    元件分類(lèi)： PROM
    英文描述： 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
    中文描述： 512K X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48
    封裝： MO-142DD, TSOP-48
    文件頁(yè)數(shù)： 36/42頁(yè)
    文件大?。?/td> 571K
    代理商： AM29LV800BB90EIB
    36
    Am29LV800B
    P R E L I M I N A R Y
    AC CHARACTERISTICS
    Alternate CE# Controlled Erase/Program Operations
    Notes:
    1. Not 100% tested.
    2.
    See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
    Parameter
    70R
    80
    90
    120
    JEDEC
    Std
    Description
    Unit
    t
    AVAV
    t
    WC
    Write Cycle Time (Note 1)
    Min
    70
    80
    90
    120
    ns
    t
    AVEL
    t
    AS
    Address Setup Time
    Min
    0
    ns
    t
    ELAX
    t
    AH
    Address Hold Time
    Min
    45
    45
    45
    50
    ns
    t
    DVEH
    t
    DS
    Data Setup Time
    Min
    35
    35
    45
    50
    ns
    t
    EHDX
    t
    DH
    Data Hold Time
    Min
    0
    ns
    t
    OES
    Output Enable Setup Time
    Min
    0
    ns
    t
    GHEL
    t
    GHEL
    Read Recovery Time Before Write
    (OE# High to WE# Low)
    Min
    0
    ns
    t
    WLEL
    t
    WS
    WE# Setup Time
    Min
    0
    ns
    t
    EHWH
    t
    WH
    WE# Hold Time
    Min
    0
    ns
    t
    ELEH
    t
    CP
    CE# Pulse Width
    Min
    35
    35
    35
    50
    ns
    t
    EHEL
    t
    CPH
    CE# Pulse Width High
    Min
    30
    ns
    t
    WHWH1
    t
    WHWH1
    Programming Operation
    (Note 2)
    Byte
    Typ
    9
    μs
    Word
    Typ
    11
    t
    WHWH2
    t
    WHWH2
    Sector Erase Operation (Note 2)
    Typ
    0.7
    sec
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