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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29LV800BB120WBE |
| 廠商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分類(lèi)： | PROM |
| 英文描述： | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 1M X 8 FLASH 3V PROM, 120 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 6 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/42頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 569K |
| 代理商： | AM29LV800BB120WBE |
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Am29LV800B
27
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
Read Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See Figure 11 and Table 7 for test specifications.
Parameter
Description
Speed Option
JEDEC
Std
Test Setup
70R
80
90
120
Unit
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time (Note 1)
Min
70
80
90
120
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
CE# = V
IL
OE# = V
IL
Max
70
80
90
120
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable to Output Delay
OE# = V
IL
Max
70
80
90
120
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Delay
Max
30
30
35
50
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Enable to Output High Z (Note 1)
Max
25
25
30
30
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Enable to Output High Z (Note 1)
Max
25
25
30
30
ns
t
OEH
Output Enable
Hold Time (Note 1)
Read
Min
0
ns
Toggle and
Data# Polling
Min
10
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold Time From Addresses, CE# or
OE#, Whichever Occurs First (Note 1)
Min
0
ns
t
CE
Outputs
WE#
Addresses
CE#
OE#
HIGH Z
Output Valid
HIGH Z
Addresses Stable
t
ACC
t
RC
t
OEH
t
OE
0 V
RY/BY#
RESET#
t
DF
t
OH
21490E-17
Figure 13.
Read Operations Timings
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29LV800BB120WBI | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| AM29LV800BB90EI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29LV800BB-90EI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
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