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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29LV800B |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位（1 M中的x 8-Bit/512畝x 16位），3.0伏的CMOS只引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 29/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 569K |
| 代理商： | AM29LV800B |
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Am29LV800B
29
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
Word/Byte Configuration (BYTE#)
Parameter
70R
80
90
120
JEDEC
Std
Description
Unit
t
ELFL/
t
ELFH
CE# to BYTE# Switching Low or High
Max
5
ns
t
FLQZ
BYTE# Switching Low to Output HIGH Z
Max
25
25
30
30
ns
t
FHQV
BYTE# Switching High to Output Active
Min
70
80
90
120
ns
DQ15
Output
Data Output
(DQ0–DQ7)
CE#
OE#
BYTE#
t
ELFL
DQ0–DQ14
Data Output
(DQ0–DQ14)
DQ15/A-1
Address
Input
t
FLQZ
BYTE#
Switching
from word
to byte
mode
DQ15
Output
Data Output
(DQ0–DQ7)
BYTE#
t
ELFH
DQ0–DQ14
Data Output
(DQ0–DQ14)
DQ15/A-1
Address
Input
t
FHQV
BYTE#
Switching
from byte
to word
mode
21490E-19
Figure 15.
BYTE# Timings for Read Operations
Note:
Refer to the Erase/Program Operations table for t
AS
and t
AH
specifications.
21490E-20
Figure 16.
BYTE# Timings for Write Operations
CE#
WE#
BYTE#
The falling edge of the last WE# signal
t
HOLD
(t
AH
)
t
SET
(t
AS
)
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PDF描述 |
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