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參數(shù)資料
| 型號： | AM29LV652DU50MAE |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 128 Megabit (16 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileIO⑩ Control |
| 中文描述： | 128兆位（16米× 8位）的CMOS 3.0伏特，只有統(tǒng)一部門閃存與VersatileIO⑩控制記憶 |
| 文件頁數(shù)： | 50/54頁 |
| 文件大?。?/td> | 492K |
| 代理商： | AM29LV652DU50MAE |
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48
Am29LV652D
24961A5 May 5, 2006
D A T A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
Alternate CE# Controlled Erase and Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase And Programming Performance” section for more information.
3. CE# can be replaced with CE2# when referring to the second device within the package.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
90R
12R
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
90
120
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
45
50
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
45
50
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Byte Programming Operation (Note 2)
Typ
5
μs
t
WHWH1
t
WHWH1
Accelerated Byte Programming Operation (Note 2)
Typ
4
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
1.6
sec
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29LV652DU50MAF | 128 Megabit (16 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileIO⑩ Control |
| AM29LV652DU50MAI | 128 Megabit (16 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileIO⑩ Control |
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| AM29LV652DU90MAE | 128 Megabit (16 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileIO⑩ Control |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| AM29LV800BB-120EC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
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