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參數(shù)資料
| 型號： | AM29LV64MU90RWHI |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 64 Megabit (4 M x 16-Bit) MirrorBit 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with |
| 中文描述： | 64兆位（4個M x 16位）的MirrorBit 3.0伏特，只有統(tǒng)一的閃存部門 |
| 文件頁數(shù)： | 47/58頁 |
| 文件大小： | 1173K |
| 代理商： | AM29LV64MU90RWHI |
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46
Am29LV640MU
June 12, 2003
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
AC CHARACTERISTICS
OE#
CE#
WE#
Addresses
t
OEH
t
DH
t
AHT
t
ASO
t
OEPH
t
OE
Valid Data
(first read)
(second read)
(stops toggling)
t
CEPH
t
AHT
t
AS
DQ6/DQ2
Valid Data
Valid
Status
Valid
Status
Valid
Status
RY/BY#
Note:
VA = Valid address; not required for DQ6. Illustration shows first two status cycle after command sequence, last status
read cycle, and array data read cycle
Figure 21.
(During Embedded Algorithms)
Toggle Bit Timings
Note:
DQ2 toggles only when read at an address within an erase-suspended sector. The system may use OE# or CE# to toggle
DQ2 and DQ6.
Figure 22.
DQ2 vs. DQ6
Enter
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
Embedded
Erasing
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29LV64MU101RPCI | 64 Megabit (4 M x 16-Bit) MirrorBit 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with |
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| AM29LV641DH120RFI | 64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileIO⑩ Control |
| AM29LV641DH121REF | 64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileIO⑩ Control |
| AM29LV641DH121RFI | 64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileIO⑩ Control |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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