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參數(shù)資料
| 型號： | AM29LV065DU90WHIN |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 64 Megabit (8 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileIOTM Control |
| 中文描述： | 64兆位（8米× 8位）的CMOS 3.0伏特，只有統(tǒng)一部門閃光控制記憶與VersatileIOTM |
| 文件頁數(shù)： | 47/54頁 |
| 文件大小： | 613K |
| 代理商： | AM29LV065DU90WHIN |
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February 16, 2006
Am29LV065D
47
AC CHARACTERISTICS
Alternate CE# Controlled Erase and Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the
“Erase And Programming Performance”
section for more information.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
90R
101R
120R
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
90
100
120
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
45
45
50
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
45
45
50
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Byte Programming Operation (Note 2)
Typ
11
μs
t
WHWH1
t
WHWH1
Accelerated Byte Programming Operation (Note 2)
Typ
7
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.9
sec
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