參數(shù)資料
型號(hào)： Am29LV017B-80RWCIB
廠商： Advanced Micro Devices, Inc.
英文描述： 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory
中文描述： 16兆位（2米× 8位）的CMOS 3.0伏特，只有統(tǒng)一部門閃存
文件頁(yè)數(shù)： 35/39頁(yè)
文件大?。?/td> 510K
代理商： AM29LV017B-80RWCIB
35
Am29LV017B
P R E L IM IN A R Y
AC CHARACTERISTICS
t
GHEL
t
WS
OE#
CE#
WE#
RESET#
t
DS
Data
t
AH
Addresses
t
DH
t
CP
DQ7#
D
OUT
t
WC
t
AS
t
CPH
PA
Data# Polling
A0 for program
55 for erase
t
RH
t
WHWH1 or 2
RY/BY#
t
WH
PD for program
30 for sector erase
10 for chip erase
555 for program
2AA for erase
PA for program
SA for sector erase
555 for chip erase
t
BUSY
Notes:
1. PA = Program Address, PD = Program Data, D
OUT
= Data Out, DQ7# = complement of data written to device.
2. Figure indicates the last two bus cycles of the command sequence.
21415C-25
Figure 22.
Alternate CE# Controlled Write Operation Timings
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Am29LV017B-90WCIB 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory
Am29LV017B-120WCIB 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory
Am29LV017B-80RWCEB 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory
Am29LV017B-90WCEB 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory
Am29LV017B-120WCEB 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory
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參數(shù)描述
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