參數(shù)資料
型號(hào)： Am29LV017B-80RWCI
廠商： Advanced Micro Devices, Inc.
英文描述： 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory
中文描述： 16兆位（2米× 8位）的CMOS 3.0伏特，只有統(tǒng)一部門閃存
文件頁(yè)數(shù)： 27/39頁(yè)
文件大小： 510K
代理商： AM29LV017B-80RWCI
27
Am29LV017B
P R E L IM IN A R Y
TEST CONDITIONS
Table 10.
Test Specifications
KEY TO SWITCHING WAVEFORMS
2.7 k
C
L
6.2 k
3.3 V
Device
Under
Test
21415C-14
Figure 11.
Test Setup
Note:
Diodes are IN3064 or equivalent
Test Condition
-80R
-90, -120
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
100
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Levels
0.0–3.0
V
Input timing measurement
reference levels
1.5
V
Output timing measurement
reference levels
1.5
V
KS000010-PAL
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
3.0 V
0.0 V
1.5 V
1.5 V
Output
Measurement Level
Input
21415C-15
Figure 12.
Input Waveforms and Measurement Levels
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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