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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Am29LV017B-80RFIB |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 元件分類： | 基準(zhǔn)電壓源/電流源 |
| 英文描述： | LM3480 100 mA, SOT-23, Quasi Low-Dropout Linear Voltage Regulator; Package: SOT-23; No of Pins: 3; Qty per Container: 1000; Container: Reel |
| 中文描述： | 16兆位（2米× 8位）的CMOS 3.0伏特，只有統(tǒng)一部門閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 30/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 510K |
| 代理商： | AM29LV017B-80RFIB |
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Am29LV017B
30
P R E L IM IN A R Y
AC CHARACTERISTICS
Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2.
See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
-80R
-90
-120
JEDEC
Std.
Description
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
80
90
120
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
50
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
35
45
50
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time (Note 1)
Min
0
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min
35
35
50
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Typ
9
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.7
sec
t
VCS
V
CC
Setup Time (Note 1)
Min
50
μs
t
RB
Recovery Time from RY/BY#
Min
0
ns
t
BUSY
Program/Erase Valid to RY/BY# Delay
Min
90
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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