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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Am29LV008BB-120ECB |
| 廠(chǎng)商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位（1米× 8位）的CMOS 3.0伏，只引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 31/38頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 492K |
| 代理商： | AM29LV008BB-120ECB |
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Am29LV008B
31
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
Enter
Embedded
Erasing
Temporary Sector Unprotect
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Note:
The system may use CE# or OE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
21524B-22
Figure 19.
DQ2 vs. DQ6
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 3 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
0 or 3 V
21524B-23
Figure 20.
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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