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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Am29LV002B-100FE |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 2兆位（256畝× 8位），3.0伏的CMOS只，引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 23/34頁(yè) |
| 文件大小： | 448K |
| 代理商： | AM29LV002B-100FE |
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Am29LV002
23
P R E L I M I N A R Y
TEST CONDITIONS
Table 7.
Test Specifications
KEY TO SWITCHING WAVEFORMS
2.7 k
C
L
6.2 k
3.3 V
Device
Under
Test
21191C-12
Figure 10.
Test Setup
Note:
Diodes are IN3064 or equivalent
Test Condition
-90R,
-100
-120,
-150
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
100
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Levels
0.0–3.0
V
Input timing measurement
reference levels
1.5
V
Output timing measurement
reference levels
1.5
V
KS000010-PAL
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
3.0 V
0.0 V
1.5 V
1.5 V
Output
Measurement Level
Input
21191C-13
Figure 11.
Input Waveforms and Measurement Levels
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PDF描述 |
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| AM29LV002BT-90EI\T | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 2MBIT 256KX8 90NS 40TSOP - Tape and Reel |
| AM29LV002T-120EC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 2M-Bit 256K x 8 120ns 40-Pin TSOP |
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