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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Am29LV001BB-45RFE |
| 廠(chǎng)商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 1兆位（128畝× 8位）的CMOS 3.0伏，只引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 34/38頁(yè) |
| 文件大小： | 453K |
| 代理商： | AM29LV001BB-45RFE |
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Am29LV001B
34
P R E L IM IN A R Y
AC CHARACTERISTICS
t
GHEL
t
WS
OE#
CE#
WE#
RESET#
t
DS
Data
t
AH
Addresses
t
DH
t
CP
DQ7#
D
OUT
t
WC
t
AS
t
CPH
PA
Data# Polling
A0 for program
55 for erase
t
RH
t
WHWH1 or 2
t
WH
PD for program
30 for sector erase
10 for chip erase
555 for program
2AA for erase
PA for program
SA for sector erase
555 for chip erase
Notes:
1. Figure indicates the last two bus cycles of the program or erase command sequence.
2. PA program address, SA = Sector Address, PD = program data, DQ7# = complement of the data written to the device,
D
OUT
= data written to the device.
21557C-26
Figure 22.
Alternate CE# Controlled Write Operation Timings
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PDF描述 |
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