參數(shù)資料
型號(hào)： Am29F800BB-120EEB
廠商： Advanced Micro Devices, Inc.
元件分類(lèi)： LED驅(qū)動(dòng)器
英文描述： LM3410/LM3410Q 525kHz/1.6MHz, Constant Current Boost and SEPIC LED Driver with Internal Compensation; Package: MINI SOIC EXP PAD; No of Pins: 8; Qty per Container: 3500; Container: Reel
中文描述： 8兆位（1 M中的x 8-Bit/512畝x 16位），5.0伏的CMOS只，引導(dǎo)扇區(qū)閃存
文件頁(yè)數(shù)： 33/39頁(yè)
文件大?。?/td> 518K
代理商： AM29F800BB-120EEB
Am29F800B
33
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
Alternate CE# Controlled Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2.
See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
-55
-70
-90
-120
-150
JEDEC
Std.
Description
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
55
70
90
120
150
ns
t
AVEL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
45
50
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
25
30
45
50
50
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
30
35
45
50
50
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
20
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation
(Note 2)
Byte
Typ
7
μs
Word
Typ
12
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
1
sec
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AM29F800BB-120EI 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
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AM29F800BB-55EF 功能描述:閃存 8M (1MX8/512KX16) Parallel NOR Fl 5V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
AM29F800BB-55EF\\T 制造商:Spansion 功能描述:IC 8MEG(512K16)BOTTOM SCTOR 100K (CS39S)
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