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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29F400AB-65FI |
| 廠商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 4 Megabit (524,288 x 8-Bit/262,144 x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| 中文描述： | 512K X 8 FLASH 5V PROM, 60 ns, PDSO48 |
| 封裝： | REVERSE, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 34/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 136K |
| 代理商： | AM29F400AB-65FI |
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34
Am29F400AT/Am29F400AB
P R E L I M I N A R Y
LATCHUP CHARACTERISTICS
Includes all pins except V
CC
. Test conditions: V
CC
= 5.0 V one pin at a time.
TSOP PIN CAPACITANCE
Notes:
1. Sampled, not 100% tested.
2. Test conditions T
A
= 25
°
C, f = 1.0 MHz.
SO PIN CAPACITANCE
Notes:
1. Sampled, not 100% tested.
2. Test conditions T
A
= 25
°
C, f = 1.0 MHz.
DATA RETENTION
Min
Max
Input Voltage with respect to V
SS
on all I/O pins
–1.0 V
V
CC
+ 1.0 V
V
CC
Current
–100 mA
+100 mA
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
6
7.5
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8.5
12
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
8
10
pF
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
6
7.5
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8.5
12
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
PP
= 0
8
10
pF
Parameter
Test Conditions
Min
Unit
Minimum Pattern Data Retention Time
150
°
C
10
Years
125
°
C
20
Years
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