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參數(shù)資料
| 型號： | AM29F080B-90FCB |
| 廠商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 1M X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO40 |
| 封裝： | REVERSE, TSOP-40 |
| 文件頁數(shù)： | 30/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 451K |
| 代理商： | AM29F080B-90FCB |
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30
Am29F080B
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
Enter
Embedded
Erasing
Temporary Sector Unprotect
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std.
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Note:
The system may use OE# or CE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 must be read at an address within the erase-suspended
sector.
21503C-20
Figure 15.
DQ2 vs. DQ6
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 5 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
0 or 5 V
21503C-21
Figure 16.
Temporary Sector Group Unprotect Timing Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29F080B-75FCB | 8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
| AM29F080B-75FIB | 8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
| AM29F080B-120EC | 8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
| AM29F080B-120ECB | 8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29F080B-90SD | 制造商:Spansion 功能描述:IC SM FLASH 5V 8MB |
| AM29F080B-90SD | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH 8MB SMD 29F080 SOIC44 |
| AM29F080B-90SF | 制造商:Spansion 功能描述: 制造商:Spansion 功能描述:IC, FLASH MEM, 8MBIT, 90NS, 44-SOIC, Memory Type:Flash - NOR, Memory Size:8Mbit, |
| AM29F080B-90SI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29F100B120EC | 制造商:AMD 功能描述:* |
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