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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29F017D-90E4C |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 2M X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO40 |
| 封裝： | MO-142CD, TSOP-40 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 31/44頁(yè) |
| 文件大小： | 1021K |
| 代理商： | AM29F017D-90E4C |
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30
Am29F017D
AC CHARACTERISTICS
Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2.
See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
Parameter Description
Speed Options
Unit
JEDEC
Std
-70
-90
-120
-150
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
70
90
120
150
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
40
45
50
50
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
40
45
50
50
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recover Time Before Write
(OE# high to WE# low)
Min
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min
40
45
50
50
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
20
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Byte Programming Operation (Note 2)
Typ
7
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
1
sec
Max
8
sec
t
VCS
V
CC
Set Up Time (Note 1)
Min
50
μs
t
BUSY
WE# to RY/BY# Valid
Min
40
40
50
60
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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