參數(shù)資料
型號(hào)： Am29F016D-120EIB
廠商： Advanced Micro Devices, Inc.
英文描述： BLADE #24 ANGLE DEBURRING 5PC
中文描述： 16兆位（2米× 8位）的CMOS 5.0伏只，統(tǒng)一部門快閃記憶體
文件頁數(shù)： 28/45頁
文件大小： 1145K
代理商： AM29F016D-120EIB
Am29F016D
27
TEST CONDITIONS
Table 11.
Test Specifications
KEY TO SWITCHING WAVEFORMS
2.7 k
C
L
6.2 k
5.0 V
Device
Under
Test
Figure 8.
Test Setup
Note:
Diodes are IN3064 or equivalent
Test Condition
All speed
options
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
100
pF
Input Rise and Fall Times
20
ns
Input Pulse Levels
0.45–2.4
V
Input timing measurement
reference levels
0.8
V
Output timing measurement
reference levels
2.0
V
KS000010-PAL
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Am29F016D-150EIB MAGNIFIER DBL CLAMP W/STAND
Am29F016D-120FIB 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
Am29F016D-150FIB 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
Am29F016D-70FCB 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
Am29F016D-90FCB FLEX CONN, 1.0 MM, SMT, LIF, STRAIGHT, 4 POSITION. WITH PICK AND PLACE TAPE, T&R RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AM29F016D120FI 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:Flash Mem Parallel 5V 16M-Bit 2M x 8 120ns 48-Pin RTSOP
am29f016d-150e4c 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: 制造商:AMD 功能描述:
AM29F016D-150EC 制造商:Spansion 功能描述:16M (2MX8) 5V, UNIFORM SECTOR, TSOP48, COM - Trays
AM29F016D-70E4D 制造商:SOCO 功能描述:
AM29F016D-70E4F 功能描述:閃存 16M (2MX8) 70ns 5v Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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